| 型号： | FDS3890 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH DUAL 80V 4.7A SO-8 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| FDS3890 PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图 | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 44 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1180pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDS3890-ND FDS3890TR |